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可控硅模块的主要参数详解

发布时间:2017-12-14 17:42:43      点击次数:1389

  可控硅模块在控温、调光、励磁、电镀、充放电、电焊机、等离子拉弧等领域有着广泛的应用,它能够起到对电力能量大小进行调整与变换的作用,在工业、通讯、军工等场合作用极大,但是,在实际应用中,仍然有人对可控硅模块不是特别了解,今天,小编就可控硅模块的主要参数进行简单介绍介绍。

  可控硅模块的主要参数:

  (1) 额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

  (2) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。

  (3) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。

  (4) 维持电流IH在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。

  (5)控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下,阳极--阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

  希望通过上述的介绍能够增强大家对可控硅模块的认识,如果想要了解更多可控硅模块知识,可持续关注本站内容更新。

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