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教你找出可控硅模块受损原因

发布时间:2017-8-25 18:04:32      点击次数:625

  设备在使用时出现故障是不可避免的,只是,为了能够及时恢复设备的正常使用,及时找出原因所在并针对性解决非常重要,可是,一般情况下,造成可控硅模块受损的原因有很多,该如何找出可控硅模块受损的原因呢?小编来教教大家:

  1、电压击穿。

  可控硅模块不能承受电压而损坏,在其芯片中有一个光洁的小孔,有时需要用扩大镜才能看到,其原因可能是管子本身耐压下降或者是被电路断开时产生的高电压击穿。

  2、电流损坏。

  如果芯片被烧成一个凹坑,并且非常粗糙,其位置在原理控制极上,这种往往就属于电流损坏。

  3、电流上升率损坏。

  如果上述芯片凹坑位置在控制极附近或者是就在控制极上,那么可能就是电流上升率损坏所致。

  4、边缘损坏。

  这种受损发生在芯片芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

  以上就是可控硅模块受损常出现的现象忌原因,希望通过上述的介绍,大家都能够结合实际情况判断出可控硅模块受损的实际原因。

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